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等離子增強原子層沉積(PEALD)系統(tǒng)是一種先進的薄膜沉積技術,結(jié)合了等離子體和原子層沉積(ALD)的優(yōu)點,以實現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。PEALD系統(tǒng)在微電子、光電器件、表面工程等領域中有著廣泛的應用。
產(chǎn)品特點:
1.等離子體增強反應:
PEALD系統(tǒng)通過引入等離子體來激發(fā)反應氣體,使得在較低溫度下即可實現(xiàn)薄膜的沉積。這使得PEALD系統(tǒng)特別適合用于沉積對溫度敏感的材料,如有機物或柔性基板上的薄膜。
2.更高的薄膜密度與純度:
由于等離子體能夠提供高能量的反應物質(zhì),PEALD系統(tǒng)可以在較低溫度下沉積出高密度、高純度的薄膜,減少了薄膜中的缺陷和雜質(zhì)。
3.優(yōu)異的膜厚均勻性:
PEALD保留了傳統(tǒng)ALD的優(yōu)勢,能夠在復雜的三維結(jié)構(gòu)和高縱橫比的基板上實現(xiàn)均勻的薄膜覆蓋,這在器件微縮和納米結(jié)構(gòu)制造中尤為重要。
4.靈活的工藝控制:
PEALD系統(tǒng)允許獨立控制等離子體生成和ALD前驅(qū)體脈沖的時間,提供了極大的工藝靈活性。通過調(diào)節(jié)等離子體功率、時間和氣體流量,可以優(yōu)化不同材料的沉積條件。
5.廣泛的材料兼容性:
PEALD系統(tǒng)適用于沉積各種材料,包括氧化物、氮化物、硫化物、金屬等,特別適合沉積氮化硅(SiNx)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)等材料。
6.低溫沉積:
與傳統(tǒng)的熱ALD系統(tǒng)相比,PEALD能夠在較低溫度下沉積高質(zhì)量的薄膜,這對于在溫度敏感基板(如聚合物基板)上的應用至關重要。
技術參數(shù):
型號 |
CY-PEALD-150R |
反應腔 |
可以生長*大 6 英寸樣品的標準腔體,標準*大樣品高度 6mm;(超高樣品選件可按用戶要求定制,為可選件),DualOTM 氮氣保護的雙O-Ring 高溫密封系統(tǒng),隔絕其他氣體滲漏?;准訜釡囟?/span> RT-400℃可控,控制精度±1℃;腔體烘烤溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃ |
沉積模式 |
包括以下 3 種工作模式: 高速沉積的連續(xù)模式 TM (Flow TM ) 沉積超高寬深比結(jié)構(gòu)的停流模式TM(StopFlow TM ) 等離子體增強模式 |
前驅(qū)體源 |
共 5 路前驅(qū)體源;1 路為常溫源,4 路為加熱源,加熱溫度 RT-200℃可控,控制精度±1℃;加熱源配備高溫手動閥;標準前驅(qū)體源瓶體積 50cc。 1 路為常溫源可接水/臭氧/氧氣/氨氣/H2S 源等,制備氧化物,氮化物和硫化物。任意一路加熱源可接相關前驅(qū)體源。 |
前驅(qū)體管路 |
所有前驅(qū)體管路全部采用 316L 不銹鋼 EP 級管路,所有管路加熱溫度RT-150℃可控。 |
ALD 閥 |
每一路前驅(qū)體配置一個原子層沉積專用高速高溫 ALD 閥;ALD 閥采用系統(tǒng)集成的表面安裝,維修更換時可以用盲板代替;閥體加熱溫度RT-150℃可控 |
真空規(guī) |
進口寬范圍真空規(guī),測量范圍 2x10-4 to 103torr |
排氣管路 |
排氣管路加熱溫度 RT-150℃可控;配置截止閥一個,加熱溫度 RT-150℃可控。 |
臭氧發(fā)生器系統(tǒng) |
高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件;*高產(chǎn)量>15g/h,功率0~300W可調(diào),*大濃度>3.5%(w/w) |
選配微波等 離子體系統(tǒng) |
自動匹配微波等離子體源系統(tǒng); 包括:微波電源輸出功率 0 到 200W 可調(diào);超快速等離子體發(fā)生器*短可在 200ms 內(nèi)完成穩(wěn)定的等離子啟輝; 2路等離子體源, 一路為Ar配備質(zhì)量流量計(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切換。 |
控制硬件 |
PLC 控制系統(tǒng)。 |
控制軟件 |
autoALDTM專用軟件全自動控制加熱、流量、等全部沉積過程,以及溫度、壓強等實時監(jiān)控。 |
真空機械泵 |
型號:TRP-6。 |
保修 |
1 年免費保修,自驗收之日起。 |
安裝培訓 |
工程師現(xiàn)場安裝培訓。 |
主要部件:
部件名稱 |
部件說明 |
主機 |
標準6 英寸原子層沉積系統(tǒng) 包括: 5路前驅(qū)體源, 包括管路、高溫ALD閥門、50ml 源瓶, 4路為加熱源,1路為常溫源 沉積自動控制系統(tǒng), autoALDTM沉積程序控制軟件, 預裝Windows TM的筆記本電腦, |
臭氧發(fā)生器系統(tǒng) |
高濃度臭氧發(fā)生器,包括管路,裂解器附件*高產(chǎn)量>15g/h,*大濃度>3.5%(w/w) |
選配微波等離子 體系統(tǒng) |
自動匹配微波等離子體源系統(tǒng); 包括:微波電源輸出功率 0 到200W 可調(diào);超快速等離子體發(fā)生器*短可在 200ms 內(nèi)完成穩(wěn)定的等離子啟輝; 2路等離子體源, 一路為Ar配備質(zhì)量流量計(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等氣體脈沖供氣,可任意切 換。 |
真空機械泵系統(tǒng) |
機械泵與相關管路 真空機械泵型號:北儀優(yōu)成 TRP-6 |
應用領域:
1. 半導體制造
高k電介質(zhì)和金屬柵極:PEALD用于在晶體管中沉積高k材料(如HfO?、ZrO?),以及金屬柵極材料(如TiN),以提高器件性能,減少漏電流。
銅互連阻擋層和襯墊層:PEALD可以沉積低溫、高質(zhì)量的阻擋層(如TiN、TaN),用于防止銅在互連結(jié)構(gòu)中擴散。
鈍化層:在集成電路和其他微電子器件中,沉積鈍化層以保護器件表面免受外界環(huán)境的影響,延長器件壽命。
2. 光電器件
太陽能電池:PEALD在薄膜太陽能電池(如CIGS、CdTe、硅基太陽能電池)中沉積鈍化層或緩沖層(如Al?O?、ZnO),以提高光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
LED和OLED:用于發(fā)光二極管(LED)和有機發(fā)光二極管(OLED)中沉積透明導電氧化物(如ZnO、SnO?)或緩沖層,以提升發(fā)光效率和壽命。
3. 納米技術
納米結(jié)構(gòu)涂層:PEALD可以在復雜的納米結(jié)構(gòu)(如納米線、納米管、量子點)上沉積均勻的薄膜,用于調(diào)控其電學、光學和機械性能。
納米器件制造:在制造納米級別的電子和光子器件中,PEALD提供了**的材料厚度控制,適合制作超薄的功能性層。
4. 表面工程和防護涂層
抗腐蝕涂層:在金屬表面沉積抗腐蝕涂層(如Al?O?、TiO?),用于提高材料在腐蝕性環(huán)境中的耐久性,廣泛應用于航空航天、化工設備等領域。
生物醫(yī)學應用:在植入物和其他生物醫(yī)學器械上沉積生物相容性涂層,改善植入物與人體組織的相容性,減少排斥反應。
5. 柔性電子
柔性顯示屏:PEALD在低溫下沉積高性能的薄膜,用于柔性顯示屏(如OLED、電子紙)中的電極或保護層。
可穿戴設備:用于沉積薄膜保護層或功能層,以增強柔性和可穿戴設備的耐用性和性能。
6. 能源存儲與轉(zhuǎn)換
鋰離子電池:PEALD在電極材料(如LiCoO?、LiNiMnCoO?)和電解質(zhì)界面沉積保護層,以延長電池壽命并提升充放電性能。
燃料電池和超級電容器:用于沉積催化劑層和保護層,提升燃料電池的效率和超級電容器的能量密度。
7. 傳感器技術
氣體傳感器:在傳感器的活性層或敏感層上沉積功能性薄膜(如ZnO、TiO?),以提高傳感器對特定氣體的檢測靈敏度和選擇性。
生物傳感器:用于沉積功能性薄膜,增強生物傳感器對目標分子的識別和檢測能力。
8. 光學元件
抗反射涂層:在光學元件上沉積抗反射涂層(如SiO?、Al?O?),以減少光損失并提高透過率,廣泛應用于光學儀器、攝像設備等。
濾光片和鏡頭:PEALD可以沉積**控制厚度的薄膜,用于制作濾光片、反射鏡等光學元件。
9. 顯示技術
薄膜晶體管(TFT):用于在液晶顯示器(LCD)、OLED顯示器中制造薄膜晶體管,提升顯示器的分辨率和性能。
觸摸屏技術:在觸摸屏中,沉積透明導電薄膜(如ITO、ZnO),提高觸摸屏的導電性和耐用性。
應用案例(在PET膜上沉積SiO2):
在PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜上使用等離子增強原子層沉積(PEALD)技術沉積二氧化硅(SiO?)的步驟需要特別注意溫度控制和等離子體條件,以確保對PET這種溫度敏感材料的保護